划线

激光划线是半切+裂片的加工方式。

它与切割不同，切割是完全切透，且通常需要贴膜。

LED行业和划线应用设备通常需要考虑的是

更高的定位精度、最小的热影响区 (HAZ)、最小的切口宽度（低至 2.5 µm、

从而使每个晶圆可以得到更多的芯片，并且能以最大的速度实现最高产出。

划线是半导体行业中描述芯片分离技术的术语，其方式是晶圆或衬底先通过一个工艺半切、然后沿着划切道裂片分成一个个芯片。在这方面，划线不同于切割，切割是将晶圆一次完全切透。划线已应用于很多半导体领域，尤其在 LED 和 III-V 族化合物行业，在这些行业，晶圆相对较小，划切道更窄。

LED 晶圆价格昂贵，晶圆加工设备的投入物有所值。使用紫外激光器切割能够使芯片间距更小、划切道更窄、芯片划切更整洁，相对于传统的砂轮材料加工方式芯片的损失更少，使得每个晶圆产生的芯片数量更多、产量更高。

IPG划线设备能够生产经过优化验证的高精度产品，并能根据用户特定需求灵活调节工艺参数。

应用于激光划线的IPG设备可以手动操作、或配置部件全自动化操作和机器识别系统，产量更高且无需人工操作。

蓝宝石划线

蓝宝石划线采用专有直线束技术，应用于生产LED芯片的晶圆。划切道窄小可使芯片排列更紧密、晶圆利用率更高。直线束能够提高激光有效功率的利用率，减少热影响，从而提高产能。该示例显示了 LED分离设备的划线效果，划切道宽度为 2.5 µm。

GaAs 和 GaP晶圆划线

一台激光划线机的产量可取代甚至超过多台传统芯片分离方式产能的总和。如图所示GaP在加工速度300mm/s时、划切深度为30µm，该深度足以裂开厚度达 250 µm 的晶圆。加工相同的晶圆，紫外激光只需 6 分钟，而砂轮和金刚石切割则需2 小时。

碳化硅划线

碳化硅以及其它宽禁带（WBG）半导体材料在高压和高功率器件领域增长迅速。划线技术包括材料表面消融加工和专有的材料内部划线加工（隐切），隐切产生的碎屑少、且芯片容易裂片和分离。图为100μm厚碳化硅300mm/s速度的划线效果。