激光剥离

激光剥离 (LLO) 是一种选择性地将一种材料从另一种上移除的技术。

所用工艺是让激光穿过透明的 基材,并与另一种材料发生作用。

LLO 广泛应用于 LED 的制造,可将 GaN 半导体与

蓝宝石基底晶片分离,并且在其他涉及透明和

吸收膜的工艺中也有应用,例如在柔性显示器

AMOLED 应用中将聚合物与玻璃分离。

激光剥离的基本原理是其中一层(通常是主基材)与被分离膜对激光吸收性的差异。例如对于 LED,GaN 外延层具有约 3.3 eV 的带隙,而蓝宝石带隙能量约为 9.9 eV。短波长激光穿过蓝宝石,

 

在界面处被 GaN吸收后使界面发生剥蚀,从而解离两种材料。为实现成功剥离,光束质量和控制手段非常重要。IPG 采用专利的光束传输技术(中国专利号No.CN102714150B,美国专利号No.10297503),实现高速、高产量生产工艺。


激光剥离

激光光源投射穿过透明材料,被背面贴合的材料吸收,例如蓝宝石上的 GaN。界面处产生的受限等离子体使材料剥离或分离。

图上显示了激光剥离之后的裸露晶片

系统:   IX-255-LLOIX-6655

  small spot

激光剥离玻璃上的聚合物

 

传输 3D 晶片电子设备结构和聚合物活性点阵显示面板,例如智能手机所用的 AMOLED(聚合物背板)。右图显示的是利用 355nm 扫描激光器实现的 15 µm 厚聚酰亚胺分离。

系统: 微加工工作站 (IX-280-ML)

激光器: 紫外纳秒脉冲激光器

 

 LLO polymer on glass


GaN内单片高级剥离

波长较短/能量较高的光子能够更好地被吸收,从而减少某些材料中的光学穿透深度,例如 GaN。如需最大限度减少热穿透深度,可使用紫外脉冲分离半导体薄膜材料。

系统: 微加工工作站 (IX-280-ML)

激光器: 紫外纳秒脉冲激光器 

  H8

 

 

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