激光剥离

激光剥离 (LLO) 是一种选择性地将一种材料从另一种上移除的技术。

所用工艺是让激光穿过透明的基材，并与另一种材料发生作用。

LLO 广泛应用于 LED 的制造，可将 GaN 半导体与

蓝宝石基底晶片分离，并且在其他涉及透明和

吸收膜的工艺中也有应用，例如在柔性显示器

和AMOLED 应用中将聚合物与玻璃分离。

激光剥离的基本原理是其中一层（通常是主基材）与被分离膜对激光吸收性的差异。例如对于 LED，GaN 外延层具有约 3.3 eV 的带隙，而蓝宝石带隙能量约为 9.9 eV。短波长激光穿过蓝宝石，

在界面处被 GaN吸收后使界面发生剥蚀，从而解离两种材料。为实现成功剥离，光束质量和控制手段非常重要。IPG 采用专利的光束传输技术（中国专利号No.CN102714150B，美国专利号No.10297503），实现高速、高产量生产工艺。

激光剥离

激光光源投射穿过透明材料，被背面贴合的材料吸收，例如蓝宝石上的 GaN。界面处产生的受限等离子体使材料剥离或分离。

图上显示了激光剥离之后的裸露晶片

激光剥离玻璃上的聚合物

传输 3D 晶片电子设备结构和聚合物活性点阵显示面板，例如智能手机所用的 AMOLED（聚合物背板）。右图显示的是利用 355nm 扫描激光器实现的 15 µm 厚聚酰亚胺分离。

LLO polymer on glass

GaN内单片高级剥离

波长较短/能量较高的光子能够更好地被吸收，从而减少某些材料中的光学穿透深度，例如 GaN。如需最大限度减少热穿透深度，可使用紫外脉冲分离半导体薄膜材料。