激光剥离

激光剥离 (LLO) 是一种选择性地将一种材料从另一种上移除的技术。

所用工艺是让激光穿过透明的 基材,并与另一种材料发生作用。

LLO 广泛应用于 LED 的制造,可将 GaN 半导体与

蓝宝石基底晶片分离,并且在其他涉及透明和

吸收膜的工艺中也有应用,例如在柔性显示器

AMOLED 应用中将聚合物与玻璃分离。

激光剥离的基本原理是其中一层(通常是主基材)与被分离膜对激光吸收性的差异。例如对于 LED,GaN 外延层具有约 3.3 eV 的带隙,而蓝宝石带隙能量约为 9.9 eV。短波长激光穿过蓝宝石,

 

在界面处被 GaN吸收后使界面发生剥蚀,从而解离两种材料。为实现成功剥离,光束质量和控制手段非常重要。IPG 采用创新专利光束传输技术,实现高速、高产量生产工艺。


激光剥离

激光光源投射穿过透明材料,被背面贴合的材料吸收,例如蓝宝石上的 GaN。界面处产生的受限等离子体使材料剥离或分离。

图上显示了激光剥离之后的裸露晶片

系统:   IX-255-LLOIX-6655

  small spot

激光剥离玻璃上的聚合物

 

传输 3D 晶片电子设备结构和聚合物活性点阵显示面板,例如智能手机所用的 AMOLED(聚合物背板)。右图显示的是利用 355nm 扫描激光器实现的 15 µm 厚聚酰亚胺分离。

系统: 微加工工作站 (IX-280-ML)

激光器: 紫外纳秒脉冲激光器

 

 LLO polymer on glass


GaN内单片高级剥离

波长较短/能量较高的光子能够更好地被吸收,从而减少某些材料中的光学穿透深度,例如 GaN。如需最大限度减少热穿透深度,可使用紫外脉冲分离半导体薄膜材料。

系统: 微加工工作站 (IX-280-ML)

激光器: 紫外纳秒脉冲激光器 

  H8

 

 

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