Скрайбирование

Технология лазерного скрайбирования заключается в нанесении на поверхность материала неглубокого надреза для последующего механического разделения пластин. Скрайбирование применяется в полупроводниковой промышленности, в частности при производстве светодиодов и эпитаксиальных плёнок для разделения подложек на пластины.   При лазерном скрайбировании ширина нанесенной риски может достигать всего 2,5 мкм, за счет таких размеров обеспечивается минимальная зона термического влияния и высокая производительность обработки.

Из-за отсутствия механического контакта с материалом лазерное скрайбирование позволяет избежать появления микротрещин, сколов и остаточных напряжений, а площадь обрабатываемой пластины используется более эффективно за счёт снижения количества отходов.

При скрайбировании сапфировых пластин для производства светодиодов пикосекундные лазеры IPG обеспечивают высокую производительность обработки за счёт наиболее рационального использования мощности излучения и уменьшения зоны теплового воздействия.

С помощью систем скрайбирования компании IPG возможно реализовать высокоточный производственный процесс с высокой гибкостью настройки параметров процесса, соответствующих предъявляемым требованиям. Эти системы обеспечивают обработку с высокой производительностью и возможностью автоматической подачи заготовок.


Скрайбирование сапфиров

Скрайбирование сапфира выполняется на подложках, используемых для производства диодов, по запатентованной технологии. Узкий пропил обеспечивает более плотную упаковку матриц и более высокий выход готовых пластин.

На рисунке показан поперечный разрез скрайба шириной 2.5 мкм, выполненного на сапфировой подложке

  sapphire

Скрайбирование полупроводниковых подложек из GaAs и GaP

Производительность обработки всего лишь одной системой лазерного скрайбирования может превышать возможности обработки несколькими традиционными инструментами.

Скорость скрайбирования ультрафиолетовыми лазерами пластин из фосфата галлия может составлять всего лишь 6 минут, по сравнению с 2 часами работы алмазным режущим инструментом.

На фото показано скрайбирование GaP со скоростью 300 мм/с. Глубина канавки составляет 30 мкм, что достаточно для последующего долома пластины толщиной до 250 мкм.

  GaAs

Скрайбирование карбида кремния

В настоящее время увеличивается использование карбида кремния в полупроводниковой промышленности, особенно для производства высоковольтных и высокомощных компонентов. Применение технологий лазерного скрайбирования для обработки подложек обеспечивает низкий уровень загрязнения и легкий долом и разделение подложек.

На рисунке представлена подложка из SiC толщиной 100 мкм, разломанная по скрайбу, нанесенному со скоростью 300 мм/с

  Sic scribing 

Области применений

Керамика Стекло

Полупроводники

Карбид кремния Арсенид галлия Фосфат галлия

Кристаллические материалы

Сапфир Поликор Кварц

Контакты
Обратитесь за поддержкой в наш отдел продаж. Запросите подробную информацию о продукции или задайте нам вопрос.