Лазерное отделение тонкопленочных элементов — технология, открывающая новые возможности для растущих рынков микроэлектроники, таких как светоизлучающие диоды, плотно упакованные полупроводниковые устройства и гибкие дисплеи. Например, для создания гибких дисплеев, тонкопленочные транзисторные структуры, изготовленные поверх слоев полимера, должны быть отсоединены от сапфировых подложек.
|
Разделение двух слоев при лазерном отделении тонкопленочных элементов происходит посредством селективной лазерной абляции и испарения сильно поглощающей межфазной области. Эта область является изолирующим полимерным слоем. Чрезвычайно важно, чтобы соседний функциональный слой микроэлектроники не разрушался под воздействием лазерной энергии. Для отделения тонкопленочных элементов, обычно, используются ультрафиолетовые лазеры. Глубина поглощения излучения ультрафиолетового лазера в промышленных полимерах для микроэлектроники составляет всего несколько сотен нанометров при типичной толщине полимерного слоя от десяти до нескольких сотен микрометров. Как следствие, разделение лазерным отрывом с короткими длинами волн происходит без воздействия на соседний функциональный слой. |
|
Лазерное отделение тонкопленочных элементов При использовании этой технологии, лазерное излучение проходит сквозь прозрачный материал подложки и поглощается на границе раздела тонкопленочного элемента (например, пленка GaN на сапфировой подложке). Возникающий плазменный факел приводит к образованию области высокого давления на границе раздела и последующему отрыву пленки от подложки |
 |
|
Лазерное отделение полимерной пленки от стекла Данная технология - отделение полимерных пленок от подложек. Такие пленки используются для создания 3D полупроводниковых устройств или дисплейных панелей с активной матрицей на полимерной основе (AMOLED дисплей для смартфонов)/ |
|
|
Одновременное отделение тонкой пленки на основе GaN
Фотоны с более короткой длиной волны/более высокой энергией лучше поглощаются, что приводит к уменьшению глубины проникновения лазерного излучения в материалы, например, в GaN. УФ лазеры используются для разделения тонкопленочных полупроводниковых материалов, когда глубина проникновения тепла должна быть минимальной. |
 |
