Лазерная обратная литография

Лазерная обратная литография является техникой по

избирательному удалению одного материала из другого.

Использует процесс, посредством которого лазер

проходит через прозрачный основной материал

и соединяется со вторым материалом. Лазерная

обратная литография широко используется

при производстве LED для разделения

полупроводника GaN от полупроводниковой

пластины Sapphire, применяется в других

процессах, которые задействуют

прозрачные и поглощающие пленки,

такие как разделение полимеров из

стекла в функции Flex Display и

технологии AMOLED.

Основная концепция обратной лазерной литографии — различие в поглощении излучения лазера слоем, обычно располагаемом на подложке слой за слоем. Для светодиодов, например, эпитаксиальный слой нитрида галлия имеет ширину запрещенной зоны около 3,3 эВ, тогда как энергия запрещенной зоны сапфиров ~ 9,9 эВ. Коротковолновое излучение лазера проходит через сапфир, разрушает (оплавляет) связи

 

при вступлении в контакт с нитридом галлия, посредством чего высвобождаются два материала.  Для получения обратной литографии важны качество и контроль луча.  В компании IPG инновационные и запатентованные методы доставки луча используются для достижения высокой скорости, высокопродуктивных производственных процессов.


Поднятие лазера

 

Лазерный источник света проецируется через прозрачный материал и поглощается в смежном материале на задней стороне, например нитрид галлия на сапфире. Изолированная плазма на связях ведет к отрыву или разделению материалов.

На рисунке показана экспонированная пластина после облучения лазером.

Система: IX, IX-6655

  small spot

Лазерная обратная литография полимера на стекле

 

Нанесение структур электронных устройств на основе 3D пластин и панелей с активно-матричным дисплеем на полимерной основе, например AMOLED, для смартфонов (полимерная объединительная плата). На рисунке показано разделение полиамида толщиной 16 мкм с помощью сканирующего лазера 355.

Система: рабочая станция микрообработки (IX-280-ML)

Лазеры: УФ наносекундные импульсные лазеры

 

 LLO polymer on glass


Монолитная улучшенная обратная лазерная литография на нитриде галлия

 

Фотоны с более короткой диной волны/высокоэнергетичные фотоны лучше поглощаются, что ведет к небольшой оптической глубине проникновения в определенных материалах, например нитриде галлия. 
УФ-импульсы можно использовать для разделения тонкопленочных полупроводниковых материалов, если требуется минимальная глубина проникновения тепла.

Система: рабочая станция микрообработки  (IX-280-ML)

Лазеры: УФ наносекундные импульсные лазеры

  H8
Контакты
Обратитесь за поддержкой в наш отдел продаж. Запросите подробную информацию о продукции или задайте нам вопрос.