Mikroschneiden

IPG verfügt über umfassende Erfahrung im Mikroschneiden

verschiedener Materialien wie Saphir, Si, GaN auf Saphir,

Diamant, Keramik, Metall und anderen Materialien.

 

Mit einer breiten Palette von Laserquellen und patentierter

Strahlformungs- und -führungstechnologie ist IPG gut

aufgestellt, um selbst die anspruchsvollsten

Anforderungen im Bereich des Mikroschneidens

uu erfüllen.

Typische Faktoren, die bei Schneidanwendungen berücksichtigt werden müssen, sind die Genauigkeit der Schnittpositionierung, die Minimierung des Materialverlusts beim Schneidprozess und die Minimierung des Verzugs der Bauteile. Gleichzeitig gilt es, die maximal mögliche Bearbeitungsgeschwindigkeit zu erreichen.

 „Hohe Schnittqualität“ ist ein subjektiver Parameter, der von der Anwendung abhängt und die Wahl eines Lasersystems sowie die Konfiguration des Mikrobearbeitungssystems bestimmt.

Für einige Anwendungen wird ein feststehender Strahl verwendet, und das Teil bewegt sich unter dem Strahl, um das gewünschte Bearbeitungsmuster zu erzeugen.  Die Arbeitstische können über verschiedene Bewegungsachsen (X, Y, Z, F-Theta, Drehmaschine usw.) verfügen, die mit dem Einschalten des Lasers koordiniert werden, um die Herstellung hochkomplexer

 

Strukturen zu ermöglichen. Bei linearen Tischgeschwindigkeiten von bis zu ca. 1 Meter/Sekunde sind die typischen Positionsgenauigkeiten besser als 3 µm pro 150 mm Verfahrweg.

Galvanometer werden meistens für Anwendungen verwendet, bei denen es von Vorteil ist, den Strahl mit höherer Geschwindigkeit über das Teil zu bewegen. Die mit Galvanometern erzielte Positionsgenauigkeit ist in der Regel nicht so hoch wie die von Lineartischen, die jüngsten Fortschritte bei Galvanometern und den zugehörigen Steuerungen tragen jedoch dazu bei, ihre Genauigkeit und Wiederholgenauigkeit weiter zu verbessern. Die typischen Schreibgeschwindigkeiten liegen zwischen 1 und 5 Meter/Sekunde bei kurzen Einschwingzeiten. Die QCW-Laser und ultraschnellen Piko- und Femtosekundenlaser von IPG werden häufig für Mikroschneidanwendungen eingesetzt. Es können komplette Systeme angeboten werden, von F & E-Arbeitsstationen mit zwei Laserquellen bis zu halbautomatischen und vollautomatischen Systemen.


Schneiden von Saphir

Das Schneiden von Saphir wird für Anwendungen zur Herstellung von Mobilfunkgeräten verwendet. Zu typischen Prozessen zählt die Vereinzelung von Displaydeckeln, Kamerafenstern und Sensorfenstern innerhalb von Displaydeckeln. Die Saphirstärke beträgt hierbei 0,1 bis 3,0 mm.

System: Saphir- und Siliziumwaferschneider

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser 

  Schneiden von Saphir

Dicing von Metallen

Das Dicing von metallischen Wafern (Kupfer, Wolframkupfer, Molybdän und Edelstahl) erfolgt mithilfe proprietärer IPG-Technologie auf Wafern und dünnen Schichten. Die Strahlführung kann optimiert werden, um zum Verbessern des Durchsatzes und der Qualität anstelle standardmäßiger fokussierter Strahlen proprietäre geformte Strahlen zu verwenden. Die Abbildung zeigt das Schneiden eines Kupferwafers zur Bauteilvereinzelung.

System: Metallwaferschneider

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser, gepulste UV-Nanosekundenlaser

  kupfer

Schneiden von Keramik

Die Systeme von IPG können Keramik mit einer Materialstärke von bis zu 1 mm ablativ und thermisch schneiden und ritzen – mit Einbringung von Strukturen im Submikrometerbereich und hoher Maßhaltigkeit. Die Abbildung zeigt Präzisionsnuten in einem Keramikzylinder.

System: Schneiden von Keramik

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser, gepulste UV-Nanosekundenlaser

  Schneiden von Keramik 

Schneiden von Polymeren

Bauteilvereinzelung und Strukturierung von Polymerfolien.  Wahl des Lasertyps, Scannen oder Bearbeitung mit großem Sichtfeld zum Minimieren der Erwärmung empfindlicher Materialien bei gleichzeitiger Maximierung von Qualität und Durchsatz.

System: Schneiden von Polymerfolien

Laser: Pikosekundenlaser, gepulste grüne Nanosekundenlaser, gepulste UV-Nanosekundenlaser

   Kapton

Schneiden von Silizium

Es sind Lösungen zur Herstellung von Wafern mit kleinerem Durchmesser aus größeren Wafern, zur Reduzierung von Solarzellen oder zum Schneiden von Siliziumschablonen verfügbar.  Materialstärke bis zu 1 mm. Die Abbildung zeigt das Reduzieren eines 700 µm-Wafers (Draufsicht und Seitenansicht).

System: Saphir- und Siliziumwaferschneider

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser, gepulste grüne Nanosekundenlaser

  silizium

Schneiden von Diamant

Schneiden einer Diamantlinse

System: Saphir- und Siliziumwaferschneider

Laser: Gepulste UV-Nanosekundenlaser, gepulste grüne NanosekundenlaserPikosekundenlaser

  Diamant
Kontakt
Wenn Sie Fragen haben oder Infomaterial anfordern möchten, kontaktieren Sie gerne unseren Vertrieb.