Mikro Laserschneiden

IPG verfügt über umfassende Erfahrung im Mikro Laserschneiden

verschiedener Materialien wie Saphir, Si, GaN auf Saphir,

Diamant, Keramik, Metall und anderen Materialien.

 

Mit einer breiten Palette von Laserquellen und patentierter

Strahlformungs- und -führungstechnologie ist IPG gut

aufgestellt, um selbst die anspruchsvollsten

Anforderungen im Bereich des Mikroschneidens

zu erfüllen.

Typische Faktoren, die bei Schneidanwendungen berücksichtigt werden müssen, sind die Genauigkeit der Schnittpositionierung, die Minimierung des Materialverlusts beim Schneidprozess und die Minimierung des Verzugs der Bauteile. Gleichzeitig gilt es, die maximal mögliche Bearbeitungsgeschwindigkeit zu erreichen.

 „Hohe Schnittqualität“ ist ein subjektiver Parameter, der von der Anwendung abhängt und die Wahl eines Lasersystems sowie die Konfiguration des Mikrobearbeitungssystems bestimmt.

Für einige Anwendungen wird ein feststehender Strahl verwendet, und das Teil bewegt sich unter dem Strahl, um das gewünschte Bearbeitungsmuster zu erzeugen.  Die Arbeitstische können über verschiedene Bewegungsachsen (X, Y, Z, F-Theta, Drehmaschine usw.) verfügen, die mit dem Einschalten des Lasers koordiniert werden, um die Herstellung hochkomplexer

 

Strukturen zu ermöglichen. Bei linearen Tischgeschwindigkeiten von bis zu ca. 1 Meter/Sekunde sind die typischen Positionsgenauigkeiten besser als 3 µm pro 150 mm Verfahrweg.

Galvanometer werden meistens für Anwendungen verwendet, bei denen es von Vorteil ist, den Strahl mit höherer Geschwindigkeit über das Teil zu bewegen. Die mit Galvanometern erzielte Positionsgenauigkeit ist in der Regel nicht so hoch wie die von Lineartischen, die jüngsten Fortschritte bei Galvanometern und den zugehörigen Steuerungen tragen jedoch dazu bei, ihre Genauigkeit und Wiederholgenauigkeit weiter zu verbessern. Die typischen Schreibgeschwindigkeiten liegen zwischen 1 und 5 Meter/Sekunde bei kurzen Einschwingzeiten. Die QCW-Laser und ultraschnellen Piko- und Femtosekundenlaser von IPG werden häufig für Mikroschneidanwendungen eingesetzt.


Schneiden von Saphir

Das Schneiden von Saphir wird für Anwendungen zur Herstellung von Mobilfunkgeräten verwendet. Zu typischen Prozessen zählt die Vereinzelung von Displaydeckeln, Kamerafenstern und Sensorfenstern innerhalb von Displaydeckeln. Die Saphirstärke beträgt hierbei 0,1 bis 3,0 mm.

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser 

 

Schneiden von Saphir


Dicing von Metallen

Das Dicing von metallischen Wafern (Kupfer, Wolframkupfer, Molybdän und Edelstahl) erfolgt mithilfe proprietärer IPG-Technologie auf Wafern und dünnen Schichten. Die Strahlführung kann optimiert werden, um zum Verbessern des Durchsatzes und der Qualität anstelle standardmäßiger fokussierter Strahlen proprietäre geformte Strahlen zu verwenden. Die Abbildung zeigt das Schneiden eines Kupferwafers zur Bauteilvereinzelung.

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser, gepulste UV-Nanosekundenlaser

 

kupfer


Schneiden von Keramik

Die Systeme von IPG können Keramik mit einer Materialstärke von bis zu 1 mm ablativ und thermisch schneiden und ritzen – mit Einbringung von Strukturen im Submikrometerbereich und hoher Maßhaltigkeit. Die Abbildung zeigt Präzisionsnuten in einem Keramikzylinder.

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser, gepulste UV-Nanosekundenlaser

 

Schneiden von Keramik 


Schneiden von Polymeren

Bauteilvereinzelung und Strukturierung von Polymerfolien.  Wahl des Lasertyps, Scannen oder Bearbeitung mit großem Sichtfeld zum Minimieren der Erwärmung empfindlicher Materialien bei gleichzeitiger Maximierung von Qualität und Durchsatz.

Laser: Pikosekundenlaser, gepulste grüne Nanosekundenlaser, gepulste UV-Nanosekundenlaser

 

 

Kapton


Silizium-Wafer schneiden

IPG bietet ein Lasersystem zum Mikroschneiden an, das auch Silizium-Wafer schneiden kann. Es kann zur Reduzierung von Solarzellen, zur Herstellung von Wafern mit kleinerem Durchmesser aus größeren Wafern oder zum Schneiden von Siliziumschablonen verwendet werden. Materialstärken bis zu 1 mm sind möglich. Die Abbildung zeigt das Reduzieren eines 700 µm-Wafers (Draufsicht und Seitenansicht).

Laser: Singlemode-QCW-Laser, Multimode-QCW-Laser, Pikosekundenlaser, gepulste grüne Nanosekundenlaser

 

silizium


Schneiden von Diamant

Schneiden einer Diamantlinse

Laser: Gepulste UV-Nanosekundenlaser, gepulste grüne NanosekundenlaserPikosekundenlaser

 

Diamant

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