Laser Lift Off

Das dem Laser Lift Off-Verfahren zugrunde liegende Konzept ist die unterschiedliche Absorption des Laserlichts durch eine Schicht, in der Regel ein Grundsubstrat und des Folienstapels, der getrennt wird. Im Fall von LEDs weist die GaN-Epitaxieschicht beispielsweise eine Bandlücke von etwa 3,3 eV auf, während die Bandlückenenergie von Saphir ca. 9,9 eV beträgt. Kurzwelliges Laserlicht durchdringt den Saphir und trägt die 

Grenzfläche ab, wenn es in das GaN einkoppelt, wodurch die beiden Materialien getrennt werden.  Entscheidend für einen erfolgreichen Lift Off-Prozess sind die Strahlqualität und die Prozesssteuerung. IPG implementiert innovative Strahlführungstechniken, um leistungsstarke Produktionsverfahren mit hoher Prozessgeschwindigkeit zu realisieren.

Laserlicht wird durch ein transparentes Material projiziert und in einem angrenzenden Material auf der Rückseite absorbiert, z. B. GaN auf Saphir.  Durch ein eingeschlossenes Plasma an der Grenzfläche kommt es zum Lift Off, d. h. zur Trennung der Materialien.

Die Abbildung zeigt einen bestrahlten Wafer nach dem Laser Lift Off.

Laser Lift Off von Polymer auf Glas

Übertragung von waferbasierten, elektronischen 3D-Bauelementstrukturen und polymerbasierten Aktivmatrix-Displays wie AMOLED-Displays für Smartphones (Polymer-Backplane). Die Abbildung zeigt die Trennung von 15 µm dickem Polyimid mit einer 355 nm Laserstrahlquelle.

Laser: Gepulste UV-Nanosekundenlaser

Kürzere Wellenlängen bzw. Photonen mit höherer Energie werden besser absorbiert, was in bestimmten Materialien wie GaN zu einer geringeren optischen Eindringtiefe führt.  UV-Pulse können zur Trennung von Dünnschicht-Halbleitermaterialien verwendet werden, wenn die Wärmeeindringtiefe minimal sein muss.

Laser: Gepulste UV-Nanosekundenlaser